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    IGBT 模块

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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    APTGT75A170D1G

    APTGT75A170D1G

    IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1

    Microsemi Corporation

    2,732
    APTGT75A170D1G

    规格书

    - D1 Bulk Obsolete Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 120 A 520 W 2.4V @ 15V, 75A 5 mA 6.5 nF @ 25 V Standard No - Chassis Mount D1
    APTGT75SK170D1G

    APTGT75SK170D1G

    IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1

    Microsemi Corporation

    5,043
    APTGT75SK170D1G

    规格书

    - D1 Bulk Obsolete Trench Field Stop Single 1700 V 120 A 520 W 2.4V @ 15V, 75A 5 mA 6.5 nF @ 25 V Standard No - Chassis Mount D1
    APTCV90TL12T3G

    APTCV90TL12T3G

    IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3

    Microsemi Corporation

    2,254
    APTCV90TL12T3G

    规格书

    - SP3 Bulk Obsolete Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200 V 80 A 280 W 2.2V @ 15V, 50A 1 mA 2.77 nF @ 25 V Standard Yes -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount SP3
    APTGFQ25H120T2G

    APTGFQ25H120T2G

    IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2

    Microsemi Corporation

    5,500
    APTGFQ25H120T2G

    规格书

    - SP2 Bulk Active NPT and Fieldstop Full Bridge 1200 V 40 A 227 W 2.1V @ 15V, 25A 250 µA 2.02 nF @ 25 V Standard Yes - Through Hole SP2
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