图片 | 型号 | 库存 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | IGBT 类型 | 配置 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 功率 - 最大值 | 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic | 电流 - 集电极截止(最大值) | 输入电容 (Cies) @ Vce | 输入 | NTC 热敏电阻 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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APTGT75A170D1GIGBT MODULE 1700V 120A 520W D1 Microsemi Corporation |
2,732 |
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![]() 规格书 |
- | D1 | Bulk | Obsolete | Trench Field Stop | Half Bridge | 1700 V | 120 A | 520 W | 2.4V @ 15V, 75A | 5 mA | 6.5 nF @ 25 V | Standard | No | - | Chassis Mount | D1 |
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APTGT75SK170D1GIGBT MODULE 1700V 120A 520W D1 Microsemi Corporation |
5,043 |
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![]() 规格书 |
- | D1 | Bulk | Obsolete | Trench Field Stop | Single | 1700 V | 120 A | 520 W | 2.4V @ 15V, 75A | 5 mA | 6.5 nF @ 25 V | Standard | No | - | Chassis Mount | D1 |
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APTCV90TL12T3GIGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3 Microsemi Corporation |
2,254 |
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![]() 规格书 |
- | SP3 | Bulk | Obsolete | Trench Field Stop | Three Level Inverter - IGBT, FET | 1200 V | 80 A | 280 W | 2.2V @ 15V, 50A | 1 mA | 2.77 nF @ 25 V | Standard | Yes | -40°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 |
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APTGFQ25H120T2GIGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2 Microsemi Corporation |
5,500 |
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![]() 规格书 |
- | SP2 | Bulk | Active | NPT and Fieldstop | Full Bridge | 1200 V | 40 A | 227 W | 2.1V @ 15V, 25A | 250 µA | 2.02 nF @ 25 V | Standard | Yes | - | Through Hole | SP2 |