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    单个 IGBTs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 开关能量 输入类型 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 测试条件 反向恢复时间 (trr) 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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    RGTH60TK65DGC11

    RGTH60TK65DGC11

    IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

    Rohm Semiconductor

    403
    RGTH60TK65DGC11

    规格书

    - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 28 A 120 A 2.1V @ 15V, 30A 61 W - Standard 58 nC 27ns/105ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
    RGW40TS65GC11

    RGW40TS65GC11

    IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N

    Rohm Semiconductor

    900
    RGW40TS65GC11

    规格书

    - TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 40 A 80 A 1.9V @ 15V, 20A 136 W 330µJ (on), 300µJ (off) Standard 59 nC 33ns/76ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    RGTH00TK65GC11

    RGTH00TK65GC11

    IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM

    Rohm Semiconductor

    403
    RGTH00TK65GC11

    规格书

    - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 35 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 72 W - Standard 94 nC 39ns/143ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
    RGTV00TK65GVC11

    RGTV00TK65GVC11

    IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM

    Rohm Semiconductor

    435
    RGTV00TK65GVC11

    规格书

    - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 45 A 200 A 1.9V @ 15V, 50A 94 W 1.17mJ (on), 940µJ (off) Standard 104 nC 41ns/142ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
    RGTVX2TS65GC11

    RGTVX2TS65GC11

    IGBT TRENCH FLD 650V 111A TO247N

    Rohm Semiconductor

    412
    RGTVX2TS65GC11

    规格书

    - TO-247-3 Tube Not For New Designs Trench Field Stop 650 V 111 A 240 A 1.9V @ 15V, 60A 319 W 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) Standard 123 nC 49ns/150ns 400V, 60A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    RGT30NS65DGC9

    RGT30NS65DGC9

    IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262

    Rohm Semiconductor

    2,894
    RGT30NS65DGC9

    规格书

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active Trench Field Stop 650 V 30 A 45 A 2.1V @ 15V, 15A 133 W - Standard 32 nC 18ns/64ns 400V, 15A, 10Ohm, 15V 55 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    RGW80TS65HRC11

    RGW80TS65HRC11

    IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N

    Rohm Semiconductor

    440
    RGW80TS65HRC11

    规格书

    - TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 80 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 214 W - Standard 110 nC 42ns/148ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    RGTV80TK65DGVC11

    RGTV80TK65DGVC11

    IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

    Rohm Semiconductor

    450
    RGTV80TK65DGVC11

    规格书

    - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 39 A 160 A 1.9V @ 15V, 40A 85 W 1.02mJ (on), 710µJ (off) Standard 81 nC 39ns/113ns 400V, 40A, 10Ohm, 15V 101 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
    RGTH00TK65DGC11

    RGTH00TK65DGC11

    IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM

    Rohm Semiconductor

    448
    RGTH00TK65DGC11

    规格书

    - TO-3PFM, SC-93-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 35 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 72 W - Standard 94 nC 39ns/143ns 400V, 50A, 10Ohm, 15V 225 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
    RGT50NS65DGTL

    RGT50NS65DGTL

    IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS

    Rohm Semiconductor

    1,014
    RGT50NS65DGTL

    规格书

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 48 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A 194 W - Standard 49 nC 27ns/88ns 400V, 25A, 10Ohm, 15V 58 ns -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LPDS
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