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    单个 IGBTs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 开关能量 输入类型 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 测试条件 反向恢复时间 (trr) 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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    IXXH50N60B3D1

    IXXH50N60B3D1

    IGBT 600V 120A 600W TO247

    IXYS

    294
    IXXH50N60B3D1

    规格书

    GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 120 A 200 A 1.8V @ 15V, 36A 600 W 670µJ (on), 740µJ (off) Standard 70 nC 27ns/100ns 360V, 36A, 5Ohm, 15V 25 ns - - - Through Hole TO-247AD (IXXH)
    IXBH16N170

    IXBH16N170

    IGBT 1700V 40A TO247AD

    IXYS

    174
    IXBH16N170

    规格书

    BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 40 A 120 A 3.3V @ 15V, 16A 250 W - Standard 72 nC - - 1.32 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    IXYT55N120A4HV

    IXYT55N120A4HV

    IGBT PT 1200V 175A TO268HV

    IXYS

    228
    IXYT55N120A4HV

    规格书

    - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active PT 1200 V 175 A 350 A 1.8V @ 15V, 55A 650 W 2.3mJ (on), 5.3mJ (off) Standard 110 nC 23ns/300ns 600V, 40A, 5Ohm, 15V 35 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXYT)
    IXXK110N65B4H1

    IXXK110N65B4H1

    IGBT 650V 240A 880W TO264

    IXYS

    209
    IXXK110N65B4H1

    规格书

    GenX4™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 650 V 240 A 630 A 2.1V @ 15V, 110A 880 W 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Standard 183 nC 38ns/156ns 400V, 55A, 2Ohm, 15V 100 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
    IXGR48N60C3D1

    IXGR48N60C3D1

    IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247

    IXYS

    779
    IXGR48N60C3D1

    规格书

    GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 56 A 230 A 2.7V @ 15V, 30A 125 W 410µJ (on), 230µJ (off) Standard 77 nC 19ns/60ns 400V, 30A, 3Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IXGH32N170

    IXGH32N170

    IGBT 1700V 75A 350W TO247AD

    IXYS

    449
    IXGH32N170

    规格书

    - TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 75 A 200 A 3.3V @ 15V, 32A 350 W 11mJ (off) Standard 155 nC 45ns/270ns 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    IXGH32N170A

    IXGH32N170A

    IGBT 1700V 32A 350W TO247

    IXYS

    975
    IXGH32N170A

    规格书

    - TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 32 A 110 A 5V @ 15V, 21A 350 W 1.5mJ (off) Standard 155 nC 46ns/260ns 850V, 32A, 2.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    IXGT32N170-TRL

    IXGT32N170-TRL

    IGBT 1700V 75A 350W TO268

    IXYS

    1,784
    IXGT32N170-TRL

    规格书

    - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active NPT 1700 V 75 A 200 A 3.3V @ 15V, 32A 350 W 11mJ (off) Standard 155 nC 45ns/270ns 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXBH2N250

    IXBH2N250

    IGBT 2500V 5A TO247AD

    IXYS

    162
    IXBH2N250

    规格书

    BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 2500 V 5 A 13 A 3.5V @ 15V, 2A 32 W - Standard 10.6 nC - - 920 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    IXYK140N90C3

    IXYK140N90C3

    IGBT 900V 310A 1630W TO264

    IXYS

    373
    IXYK140N90C3

    规格书

    GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 900 V 310 A 840 A 2.7V @ 15V, 140A 1630 W 4.3mJ (on), 4mJ (off) Standard 330 nC 40ns/145ns 450V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXYK)
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