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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    S16KR

    S16KR

    DIODE GEN PURP 800V 16A DO220AA

    GeneSiC Semiconductor

    9,241
    S16KR

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
    S16M

    S16M

    DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA

    GeneSiC Semiconductor

    3,472
    S16M

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
    S16MR

    S16MR

    DIODE GEN PURP 1KV 16A DO220AA

    GeneSiC Semiconductor

    3,637
    S16MR

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
    S16Q

    S16Q

    DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA

    GeneSiC Semiconductor

    5,768
    S16Q

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
    S16QR

    S16QR

    DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO220AA

    GeneSiC Semiconductor

    7,932
    S16QR

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 16A 1.1 V @ 16 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
    GKN26/12

    GKN26/12

    DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    4,267
    GKN26/12

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1200 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
    GKR26/12

    GKR26/12

    DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    3,589
    GKR26/12

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1200 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
    GKR26/14

    GKR26/14

    DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    3,146
    GKR26/14

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1400 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
    GKR26/16

    GKR26/16

    DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    2,961
    GKR26/16

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Obsolete Standard 1600 V 25A 1.55 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 4 mA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -40°C ~ 180°C
    GC08MPS12-252

    GC08MPS12-252

    DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO252-2

    GeneSiC Semiconductor

    7,171
    GC08MPS12-252

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 7 µA @ 1200 V 545pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
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