您好,欢迎来到双灏业商城!
    双灏业商城0755-83179664

    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

    全部重置
    应用所有
    结果:
    图片 型号 库存 价格 数量 规格书 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
    IDH10G65C6XKSA1

    IDH10G65C6XKSA1

    DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

    Infineon Technologies

    869
    IDH10G65C6XKSA1

    规格书

    - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 420 V 495pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
    IDW75D65D1XKSA1

    IDW75D65D1XKSA1

    DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3

    Infineon Technologies

    2,129
    IDW75D65D1XKSA1

    规格书

    - TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 150A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 108 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
    IDM10G120C5XTMA1

    IDM10G120C5XTMA1

    DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2

    Infineon Technologies

    4,234
    IDM10G120C5XTMA1

    规格书

    CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 38A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 12 V 29pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 150°C
    IDH10G120C5XKSA1

    IDH10G120C5XKSA1

    DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1

    Infineon Technologies

    1,175
    IDH10G120C5XKSA1

    规格书

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 1200 V 525pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    IDDD16G65C6XTMA1

    IDDD16G65C6XTMA1

    DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10

    Infineon Technologies

    4,841
    IDDD16G65C6XTMA1

    规格书

    CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
    IDH16G65C6XKSA1

    IDH16G65C6XKSA1

    DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2

    Infineon Technologies

    3,011
    IDH16G65C6XKSA1

    规格书

    - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A 1.35 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
    IDH20G65C6XKSA1

    IDH20G65C6XKSA1

    DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2

    Infineon Technologies

    1,342
    IDH20G65C6XKSA1

    规格书

    - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 41A 1.35 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
    IDH20G65C5XKSA2

    IDH20G65C5XKSA2

    DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1

    Infineon Technologies

    864
    IDH20G65C5XKSA2

    规格书

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    IDW20G65C5XKSA1

    IDW20G65C5XKSA1

    DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

    Infineon Technologies

    270
    IDW20G65C5XKSA1

    规格书

    CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
    IDH20G120C5XKSA1

    IDH20G120C5XKSA1

    DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1

    Infineon Technologies

    974
    IDH20G120C5XKSA1

    规格书

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    联系我们 获取更多产品资讯!
    双灏业商城

    首页

    双灏业商城

    产品中心

    双灏业商城

    电话

    双灏业商城

    会员中心

    品种齐全,轻松购物
    品种齐全,轻松购物
    多仓直发,极速配送
    多仓直发,极速配送
    正品行货,精致服务
    正品行货,精致服务
    天天低价,畅选无忧
    天天低价,畅选无忧
    版权所有©2025 双灏业商城