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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    SCS105KGC

    SCS105KGC

    DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220AC

    Rohm Semiconductor

    2,216
    SCS105KGC

    规格书

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.75 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 325pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    SCS215KGHRC

    SCS215KGHRC

    DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

    Rohm Semiconductor

    2,391
    SCS215KGHRC

    规格书

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.6 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 1200 V 790pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    SCS320AMC

    SCS320AMC

    DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    4,208
    SCS320AMC

    规格书

    - TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 1000pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FM 175°C (Max)
    SCS220KGC

    SCS220KGC

    DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

    Rohm Semiconductor

    4,297
    SCS220KGC

    规格书

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 1060pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    SCS220KGHRC

    SCS220KGHRC

    DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

    Rohm Semiconductor

    4,869
    SCS220KGHRC

    规格书

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 1060pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    SCS120AGC

    SCS120AGC

    DIODE SIL CARB 600V 20A TO220AC

    Rohm Semiconductor

    2,169
    SCS120AGC

    规格书

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 860pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    SCS110KGC

    SCS110KGC

    DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

    Rohm Semiconductor

    2,692
    SCS110KGC

    规格书

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 650pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    SCS120KGC

    SCS120KGC

    DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

    Rohm Semiconductor

    8,105
    SCS120KGC

    规格书

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 1300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    1N4148T-73

    1N4148T-73

    DIODE GEN PURP 75V 150MA GSD

    Rohm Semiconductor

    5,795
    1N4148T-73

    规格书

    - DO-204AH, DO-35, Axial Cut Tape (CT) Obsolete Standard 75 V 150mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole GSD -65°C ~ 200°C
    1SS133T-77

    1SS133T-77

    DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD

    Rohm Semiconductor

    8,710
    1SS133T-77

    规格书

    - DO-204AG, DO-34, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 80 V 130mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 500 nA @ 80 V 2pF @ 0.5V, 1MHz - - Through Hole MSD 175°C (Max)
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