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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    APT10SCD65K

    APT10SCD65K

    DIODE SIL CARB 650V 17A TO220

    Microsemi Corporation

    2,420
    APT10SCD65K

    规格书

    - TO-220-2 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 17A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 150°C
    APT20SCD65K

    APT20SCD65K

    DIODE SIL CARB 650V 32A TO220

    Microsemi Corporation

    4,297
    APT20SCD65K

    规格书

    - TO-220-2 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 650 V 680pF @ 100mV, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 150°C
    MC5616

    MC5616

    DIODE GP 3KV 570MA S AXIAL

    Microsemi Corporation

    7,525
    MC5616

    规格书

    - S, Axial Bulk Active Standard 3000 V 570mA 6 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 1 µA @ 3000 V - - - Through Hole S, Axial -65°C ~ 150°C
    APT30SCD65B

    APT30SCD65B

    DIODE SIL CARBIDE 650V 46A TO247

    Microsemi Corporation

    3,726
    APT30SCD65B

    规格书

    - TO-247-2 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 46A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 600 µA @ 650 V 945pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
    JANHCA1N6391

    JANHCA1N6391

    SCHOTTKY RECTIFIER

    Microsemi Corporation

    4,486
    JANHCA1N6391

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky 45 V 22.5A 680 mV @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 45 V 2000pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/553 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -55°C ~ 175°C
    JANHCA1N6392

    JANHCA1N6392

    SCHOTTKY RECTIFIER

    Microsemi Corporation

    3,575
    JANHCA1N6392

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 45 V 54A 820 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 45 V 3000pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/554 Stud Mount DO-5 (DO-203AB) -55°C ~ 175°C
    MSC750SMA120S

    MSC750SMA120S

    MOSFET N-CH 1200V D3PAK

    Microsemi Corporation

    9,384
    MSC750SMA120S

    规格书

    * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    APT10SCE120B

    APT10SCE120B

    DIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO247

    Microsemi Corporation

    7,604
    APT10SCE120B

    规格书

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 43A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 630pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
    APT10SCE170B

    APT10SCE170B

    DIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247

    Microsemi Corporation

    7,868
    APT10SCE170B

    规格书

    - TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 23A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1700 V 1120pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
    APT10SCE65B

    APT10SCE65B

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247

    Microsemi Corporation

    6,529
    APT10SCE65B

    规格书

    * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - -
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