图片 | 型号 | 库存 | 数量 | 规格书 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 漏极电流 (Id) - 最大值 | 截止电压 (VGS off) @ Id | 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 电阻 - RDS(On) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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IJW120R100T1FKSA1JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Infineon Technologies |
6,892 |
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![]() 规格书 |
CoolSiC™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | 1200 V | 1200 V | 1.5 µA @ 1200 V | 26 A | - | 1550pF @ 19.5V (VGS) | 100 mOhms | 190 W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3 |
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IJW120R070T1FKSA1JFET PWR FIELD EFFECT Infineon Technologies |
330 |
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![]() 规格书 |
CoolSiC™ | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | 1200 V | 1200 V | 3.3 µA @ 1200 V | 35 A | - | 2000pF @ 19.5V (VGS) | 70 mOhms | 238 W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3 |
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IJW120R070T1FKSA1JFET N-CH 1.2KV 35A TO247-3 Infineon Technologies |
8,800 |
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![]() 规格书 |
CoolSiC™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | 1200 V | 1200 V | 3.3 µA @ 1200 V | 35 A | - | 2000pF @ 19.5V (VGS) | 70 mOhms | 238 W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3 |