BJT 晶体管作为开关,饱和度计算器

以下计算器将计算晶体管电路的所有偏置值(给定电源电压\基极电压和所有电阻值).beta 和 Vd 晶体管参数可以测量,也可以从数据表中收集.如果未知,可以使用以下默认值,因为电路通常对这些值不太敏感.

该计算器还可以确定晶体管是否处于饱和状态或截止状态\频率响应以及 CE(共发射极)和 CC(共集电极,也称为射极跟随器)配置的内部电阻和电容参数.

带分压器偏置的晶体管

晶体管偏置串联电阻

晶体管的直流偏置是最常见的电气工程任务之一.晶体管需要一定的直流电平才能正常工作.这些直流也称为它们的偏置点.注入晶体管电路的任何交流信号都位于这些直流信号的顶部.由于线性原理,直流偏置点和交流信号是独立设计的.观察偏置的另一种方法是测量电路内各个节点的直流值.

根据晶体管的偏置方式,它可以充当开关\放大器或缓冲器.当晶体管偏置为开关时,电阻器 R_和设置为零欧姆(电路短路),基极电压设置为使晶体管饱和的水平(使其完全打开).

对于放大器,输入信号通常通过电容器交流耦合到偏置电阻.

共发射极配置(A 类放大器)是最常见的放大器晶体管放大器类型.输入信号通过耦合电容器注入基极,输出从晶体管集电极取出.输出信号是输入信号的放大和反相版本.输出信号通常不能摆动整个范围,因为当集电极电流过高时,晶体管会饱和,信号会向地摆动.通常,基极偏置点设置为集电极电压的约 1/3.发射极电阻器通常用大电容器旁路,使其看起来像是交流信号的短路,否则会降低交流信号的增益.

射极跟随器是一种缓冲电路,其增益接近于 1.之所以使用它,是因为它具有高输入电阻,并能提供良好的驱动.

您还可以填写晶体管的频率信息及其标称频率工作点,计算器将计算频率相关参数以及限制放大器带宽的第一个极点.

方程式

Ib*Rb+Ib*Beta*Re+Vbe = Vin

Ib=(Win-Vbe)/(Rb+Beta*Re);

Ic= Beta*Ib;

电压源=电流源*Re;

等=Ve+Vbe;

Vc=VP-Ic*Re;

如果 Vc<Ve,则晶体管饱和.

如果 Vin < Vb,晶体管处于截止模式.

克_米= IC / 25毫安

r_p= 贝塔/克_米

f_电视= 克_米/(2π*(C_是+关注_公元前))

对于普通收藏家来说：

R_这= R_和|| [_和+(R_乙||R_年代)/(β+1)]

Rin= R1||R2||(r_p+(Beta+1)*RE2)

对于共发射极：

Ro=~Rc;

Rin= R1||R2||(r_p+(Beta+1)*RE2)