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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    S6J

    S6J

    DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    3,598
    S6J

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
    S6JR

    S6JR

    DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    6,449
    S6JR

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
    S6K

    S6K

    DIODE GEN PURP 800V 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    3,452
    S6K

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
    S6KR

    S6KR

    DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    3,912
    S6KR

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
    S6M

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    DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    7,205
    S6M

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
    S6MR

    S6MR

    DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    6,290
    S6MR

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
    S6Q

    S6Q

    DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    7,837
    S6Q

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
    S6QR

    S6QR

    DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    2,316
    S6QR

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
    GC05MPS12-220

    GC05MPS12-220

    DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO220-2

    GeneSiC Semiconductor

    3,581
    GC05MPS12-220

    规格书

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 29A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 4 µA @ 1200 V 359pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
    GC10MPS12-220

    GC10MPS12-220

    DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO220-2

    GeneSiC Semiconductor

    3,074
    GC10MPS12-220

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 660pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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