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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    GC50MPS06-247

    GC50MPS06-247

    DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2

    GeneSiC Semiconductor

    3,261
    GC50MPS06-247

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 50A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
    FR30J02

    FR30J02

    DIODE GEN PURP 600V 30A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    3,733
    FR30J02

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 30A 1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
    FR70GR02

    FR70GR02

    DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    4,473
    FR70GR02

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 70A 1.4 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
    MBR8045R

    MBR8045R

    DIODE SCHOTTKY REV 45V 80A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    1,390
    MBR8045R

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 80A 650 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
    150K20A

    150K20A

    DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA

    GeneSiC Semiconductor

    2,555
    150K20A

    规格书

    - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 200 V 150A 1.33 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 35 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
    1N1186A

    1N1186A

    DIODE GEN PURP 200V 40A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    2,768
    1N1186A

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 40A 1.1 V @ 40 A - - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
    GB05MPS33-263

    GB05MPS33-263

    DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7

    GeneSiC Semiconductor

    9,776
    GB05MPS33-263

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 14A 3 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 3000 V 288pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
    1N1200A

    1N1200A

    DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    9,031
    1N1200A

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 12A 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 200°C
    1N3892R

    1N3892R

    DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    7,271
    1N3892R

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
    1N3893R

    1N3893R

    DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    2,816
    1N3893R

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
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