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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    GD30MPS12J-TR

    GD30MPS12J-TR

    DIODE SIL CARB 1.2KV 59A TO263-7

    GeneSiC Semiconductor

    2,036
    GD30MPS12J-TR

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 59A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
    GD15MPS17H

    GD15MPS17H

    DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2

    GeneSiC Semiconductor

    1,214
    GD15MPS17H

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 36A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 1082pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    GD50MPS12H

    GD50MPS12H

    DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2

    GeneSiC Semiconductor

    124
    GD50MPS12H

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 92A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V 1835pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    GD10MPS12H

    GD10MPS12H

    DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

    GeneSiC Semiconductor

    540
    GD10MPS12H

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247-2 175°C
    GD30MPS06H

    GD30MPS06H

    DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2

    GeneSiC Semiconductor

    614
    GD30MPS06H

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 49A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 735pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    GD20MPS12A

    GD20MPS12A

    DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO220-2

    GeneSiC Semiconductor

    2,307
    GD20MPS12A

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 42A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 737pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
    1N3891

    1N3891

    DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    887
    1N3891

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
    1N1184

    1N1184

    DIODE GEN PURP 100V 35A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    191
    1N1184

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
    1N1184A

    1N1184A

    DIODE GEN PURP 100V 40A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    260
    1N1184A

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
    1N2130AR

    1N2130AR

    DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    245
    1N2130AR

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
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