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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    S85Q

    S85Q

    DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    370
    S85Q

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 85A 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 180°C
    1N3881R

    1N3881R

    DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    512
    1N3881R

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
    1N3879R

    1N3879R

    DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    236
    1N3879R

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
    1N3889R

    1N3889R

    DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

    GeneSiC Semiconductor

    150
    1N3889R

    规格书

    - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
    S85YR

    S85YR

    DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    208
    S85YR

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 85A 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
    FR40MR05

    FR40MR05

    DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO5

    GeneSiC Semiconductor

    155
    FR40MR05

    规格书

    - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 40A 1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
    MBRH12040R

    MBRH12040R

    DIODE SCHOTTKY REV 40V 120A D-67

    GeneSiC Semiconductor

    3,951
    MBRH12040R

    规格书

    - D-67 HALF-PAK Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 40 V 120A 700 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V - - - Chassis Mount D-67 -55°C ~ 150°C
    MBRH20045R

    MBRH20045R

    DIODE SCHOTTKY REV 45V 200A D-67

    GeneSiC Semiconductor

    3,898
    MBRH20045R

    规格书

    - D-67 Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 200A 700 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis Mount D-67 -55°C ~ 150°C
    MBRH20045

    MBRH20045

    DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67

    GeneSiC Semiconductor

    2,143
    MBRH20045

    规格书

    - D-67 Bulk Active Schottky 45 V 200A 650 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 20 V - - - Chassis Mount D-67 -
    GD30MPS06J

    GD30MPS06J

    DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7

    GeneSiC Semiconductor

    540
    GD30MPS06J

    规格书

    SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 735pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
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