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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    IDH04SG60CXKSA2

    IDH04SG60CXKSA2

    DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-1

    Infineon Technologies

    334
    IDH04SG60CXKSA2

    规格书

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 2.3 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 600 V 80pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    IDWD30E120D7XKSA1

    IDWD30E120D7XKSA1

    DIODE GEN PURP 1200V 52A TO247-2

    Infineon Technologies

    120
    IDWD30E120D7XKSA1

    规格书

    - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 52A 3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 135 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
    IDWD20E65E7XKSA1

    IDWD20E65E7XKSA1

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    Infineon Technologies

    220
    IDWD20E65E7XKSA1

    规格书

    - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 42A 2.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 74 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
    IDWD40E120D7XKSA1

    IDWD40E120D7XKSA1

    DIODE GEN PURP 1200V 67A TO247-2

    Infineon Technologies

    210
    IDWD40E120D7XKSA1

    规格书

    - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 67A 3 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 155 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
    IDWD30E65E7XKSA1

    IDWD30E65E7XKSA1

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    Infineon Technologies

    193
    IDWD30E65E7XKSA1

    规格书

    - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 50A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 82 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -
    IDWD50E120D7XKSA1

    IDWD50E120D7XKSA1

    DIODE GEN PURP 1200V 81A TO247-2

    Infineon Technologies

    230
    IDWD50E120D7XKSA1

    规格书

    - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 81A 3 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 160 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
    IDK08G65C5XTMA2

    IDK08G65C5XTMA2

    DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2

    Infineon Technologies

    959
    IDK08G65C5XTMA2

    规格书

    CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 250pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
    IDWD40E65E7XKSA1

    IDWD40E65E7XKSA1

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    Infineon Technologies

    168
    IDWD40E65E7XKSA1

    规格书

    - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 50A 2.1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 89 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
    IDWD50E65E7XKSA1

    IDWD50E65E7XKSA1

    DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2

    Infineon Technologies

    220
    IDWD50E65E7XKSA1

    规格书

    - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 92A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 94 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
    IDWD60E120D7XKSA1

    IDWD60E120D7XKSA1

    DIODE GEN PURP 1200V 94A TO247-2

    Infineon Technologies

    192
    IDWD60E120D7XKSA1

    规格书

    - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 94A 3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 175 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
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