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    单个二极管

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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    IDH12G65C5XKSA2

    IDH12G65C5XKSA2

    DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

    Infineon Technologies

    850
    IDH12G65C5XKSA2

    规格书

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    IDD10SG60CXTMA2

    IDD10SG60CXTMA2

    DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3

    Infineon Technologies

    217
    IDD10SG60CXTMA2

    规格书

    CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 2.1 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 600 V 290pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
    IDH16G65C5XKSA2

    IDH16G65C5XKSA2

    DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1

    Infineon Technologies

    1,984
    IDH16G65C5XKSA2

    规格书

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    IDH12SG60CXKSA2

    IDH12SG60CXKSA2

    DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-1

    Infineon Technologies

    396
    IDH12SG60CXKSA2

    规格书

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 12A 2.1 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 600 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    IDH16G120C5XKSA1

    IDH16G120C5XKSA1

    DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220-1

    Infineon Technologies

    243
    IDH16G120C5XKSA1

    规格书

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 16A 1.95 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    IDK16G120C5XTMA1

    IDK16G120C5XTMA1

    DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1

    Infineon Technologies

    437
    IDK16G120C5XTMA1

    规格书

    CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.95 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 80 µA @ 1200 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
    IDW40G65C5BXKSA2

    IDW40G65C5BXKSA2

    DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

    Infineon Technologies

    240
    IDW40G65C5BXKSA2

    规格书

    CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
    BAS40E8224HTMA1

    BAS40E8224HTMA1

    AF SCHOTTKY DIODES

    Infineon Technologies

    20,000
    BAS40E8224HTMA1

    规格书

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
    BAS4002LE6327XTMA1

    BAS4002LE6327XTMA1

    DIODE SCHOTT 40V 120MA TSLP-2-1

    Infineon Technologies

    13,946
    BAS4002LE6327XTMA1

    规格书

    - SOD-882 Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 120mA 1 V @ 40 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 100 ps 1 µA @ 30 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount PG-TSLP-2-1 -55°C ~ 150°C
    IDP08E65D1XKSA1

    IDP08E65D1XKSA1

    DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

    Infineon Technologies

    7,310
    IDP08E65D1XKSA1

    规格书

    - TO-220-2 Bulk Active Standard 650 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220-2 -40°C ~ 175°C
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