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    Rohm Semiconductor DTA114EBT2L

    型号:
    DTA114EBT2L
    品牌:
    Rohm Semiconductor
    分类:
    单个预偏置双极晶体管
    封装:
    SOT-923F
    规格书:
    双灏业商城DTA114EBT2L.pdf
    描述:
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMN3
    支付方式:
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    产品详情

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    品牌:
    Rohm Semiconductor
    系列:
    -
    封装/外壳:
    SOT-923F
    包装:
    Tape & Reel (TR)
    产品状态:
    Obsolete
    晶体管类型:
    PNP - Pre-Biased
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
    100 mA
    电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
    50 V
    电阻 - 基极 (R1):
    10 kOhms
    电阻 - 发射极基极 (R2):
    10 kOhms
    直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce:
    30 @ 5mA, 5V
    集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic:
    300mV @ 500µA, 10mA
    电流 - 集电极截止(最大值):
    500nA
    频率 - 跃迁:
    250 MHz
    功率 - 最大值:
    150 mW
    等级:
    -
    认证:
    -
    安装类型:
    Surface Mount
    供应商设备封装:
    VMN3
    类别:
    单个预偏置双极晶体管
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    图片 DTA114EBT2L
    型号 DTA114EBT2L
    品牌 Rohm Semiconductor
    系列 -
    封装/外壳 SOT-923F
    包装 Tape & Reel (TR)
    产品状态 Obsolete
    晶体管类型 PNP - Pre-Biased
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
    电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 50 V
    电阻 - 基极 (R1) 10 kOhms
    电阻 - 发射极基极 (R2) 10 kOhms
    直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
    集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
    电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
    频率 - 跃迁 250 MHz
    功率 - 最大值 150 mW
    等级 -
    认证 -
    安装类型 Surface Mount
    供应商设备封装 VMN3

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