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    Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF

    型号:
    RN1441ATE85LF
    品牌:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    分类:
    单个预偏置双极晶体管
    封装:
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    规格书:
    双灏业商城RN1441ATE85LF.pdf
    描述:
    TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
    支付方式:
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    产品详情

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    品牌:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    系列:
    -
    封装/外壳:
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    包装:
    Tape & Reel (TR)
    产品状态:
    Obsolete
    晶体管类型:
    NPN - Pre-Biased
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
    300 mA
    电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
    20 V
    电阻 - 基极 (R1):
    5.6 kOhms
    电阻 - 发射极基极 (R2):
    -
    直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce:
    200 @ 4mA, 2V
    集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic:
    100mV @ 3mA, 30mA
    电流 - 集电极截止(最大值):
    100nA (ICBO)
    频率 - 跃迁:
    30 MHz
    功率 - 最大值:
    200 mW
    等级:
    -
    认证:
    -
    安装类型:
    Surface Mount
    供应商设备封装:
    S-Mini
    类别:
    单个预偏置双极晶体管
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    图片 RN1441ATE85LF
    型号 RN1441ATE85LF
    品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
    系列 -
    封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    包装 Tape & Reel (TR)
    产品状态 Obsolete
    晶体管类型 NPN - Pre-Biased
    电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 300 mA
    电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 20 V
    电阻 - 基极 (R1) 5.6 kOhms
    电阻 - 发射极基极 (R2) -
    直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
    集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
    电流 - 集电极截止(最大值) 100nA (ICBO)
    频率 - 跃迁 30 MHz
    功率 - 最大值 200 mW
    等级 -
    认证 -
    安装类型 Surface Mount
    供应商设备封装 S-Mini

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