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    International Rectifier IRFHE4250DTRPBF

    型号:
    IRFHE4250DTRPBF
    品牌:
    International Rectifier
    分类:
    场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
    封装:
    32-PowerVFQFN
    规格书:
    双灏业商城IRFHE4250DTRPBF.pdf
    描述:
    MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
    支付方式:
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    品牌:
    International Rectifier
    系列:
    HEXFET®
    封装/外壳:
    32-PowerVFQFN
    包装:
    Bulk
    产品状态:
    Active
    技术:
    MOSFET (Metal Oxide)
    配置:
    2 N-Channel (Dual)
    FET 特性:
    -
    漏极到源极电压 (Vdss):
    25V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
    86A (Tc), 303A (Tc)
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
    2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
    2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
    20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
    1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
    功率 - 最大值:
    156W (Tc)
    工作温度:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    等级:
    -
    认证:
    -
    安装类型:
    Surface Mount
    供应商设备封装:
    32-PQFN (6x6)
    类别:
    场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
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    图片 IRFHE4250DTRPBF
    型号 IRFHE4250DTRPBF
    品牌 International Rectifier
    系列 HEXFET®
    封装/外壳 32-PowerVFQFN
    包装 Bulk
    产品状态 Active
    技术 MOSFET (Metal Oxide)
    配置 2 N-Channel (Dual)
    FET 特性 -
    漏极到源极电压 (Vdss) 25V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 86A (Tc), 303A (Tc)
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
    功率 - 最大值 156W (Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
    等级 -
    认证 -
    安装类型 Surface Mount
    供应商设备封装 32-PQFN (6x6)

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