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图片 | ![]() |
型号 | UHB100SC12E1BC3N |
品牌 | Qorvo |
系列 | - |
封装/外壳 | Module |
包装 | Bulk |
产品状态 | Active |
技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
配置 | 2 P-Channel (Half Bridge) |
FET 特性 | Silicon Carbide (SiC) |
漏极到源极电压 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 12mOhm @ 70A, 12V |
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 6V @ 40mA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 170nC @ 15V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 5859pF @ 800V |
功率 - 最大值 | 417W (Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
等级 | - |
认证 | - |
安装类型 | Chassis Mount |
供应商设备封装 | Module |
Toshiba Semiconductor and Storage
Diodes Incorporated
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Infineon Technologies
Nexperia USA Inc.
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Rohm Semiconductor
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