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    STMicroelectronics STL6N2VH5

    型号:
    STL6N2VH5
    品牌:
    STMicroelectronics
    分类:
    场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
    封装:
    6-PowerWDFN
    规格书:
    双灏业商城STL6N2VH5.pdf
    描述:
    MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
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    品牌:
    STMicroelectronics
    系列:
    STripFET™ V
    封装/外壳:
    6-PowerWDFN
    包装:
    Tape & Reel (TR)
    产品状态:
    Active
    FET 类型:
    N-Channel
    技术:
    MOSFET (Metal Oxide)
    漏极到源极电压 (Vdss):
    20 V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
    6A (Tj)
    驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
    2.5V, 4.5V
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
    30mOhm @ 3A, 4.5V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
    700mV @ 250µA (Min)
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
    6 nC @ 4.5 V
    栅极电压 (Vgs)(最大值):
    ±8V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
    550 pF @ 16 V
    FET 特性:
    -
    功耗(最大值):
    2.4W (Tc)
    工作温度:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    等级:
    -
    认证:
    -
    安装类型:
    Surface Mount
    供应商设备封装:
    PowerFlat™ (2x2)
    类别:
    场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
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    图片 STL6N2VH5
    型号 STL6N2VH5
    品牌 STMicroelectronics
    系列 STripFET™ V
    封装/外壳 6-PowerWDFN
    包装 Tape & Reel (TR)
    产品状态 Active
    FET 类型 N-Channel
    技术 MOSFET (Metal Oxide)
    漏极到源极电压 (Vdss) 20 V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A (Tj)
    驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 2.5V, 4.5V
    导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 30mOhm @ 3A, 4.5V
    栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 700mV @ 250µA (Min)
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 6 nC @ 4.5 V
    栅极电压 (Vgs)(最大值) ±8V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 550 pF @ 16 V
    FET 特性 -
    功耗(最大值) 2.4W (Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
    等级 -
    认证 -
    安装类型 Surface Mount
    供应商设备封装 PowerFlat™ (2x2)

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